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2003
-. 十二月 完成MOS FET研制 -. 十月 完成干蚀刻器的静电卡盘研制 -. 八月 签署MOS FET OEM 产品合同 ▶ 2002 -. 九月 完成液晶显示干蚀刻器的上部电极研制 ▶ 2001 -. 十二月 建立阳极电镀制造厂 ▶ 2000 -. 四月 注册投资公司(注册号: 2000112441-2879) ▶ 1999 -. 十二月 获得 ISO 9002 认证 ▶
1997
-. 九月 与HYNIX电子有限公司签署正式供应合同
-. 十月 与三星电子有限公司签署正式供应合同 ▶ 1996 -. 九月 完成蚀刻器的阴极研制 ▶ 1994 -. 九月 与SAMSUNG建立并开始干蚀刻器,电容分压器, 真空电镀及离子植入机台等半 导体设备部件的商务
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